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JAN1N5552

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 2634  
說(shuō)明:
 DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
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JAN1N5552-圖片

JAN1N5552 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:B,軸向
封裝/外殼:B,軸向
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容:-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:1 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):2 μs
速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.2 V @ 9 A
電流 - 平均整流 (Io):3A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Military, MIL-PRF-19500/420
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

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