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IXYQ30N65B3D1

廠家：: IXYS
封裝：: TO-3P
數量：: 6768
說明：: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)

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IXYQ30N65B3D1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：38 ns
測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：17ns/87ns
柵極電荷：45 nC
輸入類型：標準
開關能量：830μJ（開），640μJ（關）
功率 - 最大值：270 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：70 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：PT
產品狀態：在售
包裝：GenX3?, XPT?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXYQ30N65B3D1的詳細信息，包括IXYQ30N65B3D1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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