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IXTY01N100D

廠家：: Ixys
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 8360
說明：: MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25

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IXTY01N100D-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

IXTY01N100D PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：30 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：6 ns
功率耗散：1100 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-252AA-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：80000 mOhms
漏極連續電流：0.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：IXYS

以上是IXTY01N100D的詳細信息，包括IXTY01N100D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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