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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):830W(Tc)
FET 功能:耗盡模式
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):5700 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):225 nC @ 5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):64 毫歐 @ 8A,0V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):16A(Tc)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Depletion
系列:管件
品牌:IXYS
以上是IXTT16N10D2的詳細(xì)信息,包括IXTT16N10D2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!