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IXTQ69N30P

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-3P-3,SC-65-3
數量:
 5995  
說明:
 MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
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IXTQ69N30P-TO-3P-3,SC-65-3圖片

IXTQ69N30P PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:75 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:25 ns
功率耗散:500 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:27 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.049 Ohms
漏極連續電流:69 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:300 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ69N30P的詳細信息,包括IXTQ69N30P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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