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IXTP08N100D2

廠家：: Ixys
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 7776
說明：: MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA

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IXTP08N100D2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：60 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：21 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP08N100D2的詳細信息，包括IXTP08N100D2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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