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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):290W(Tc)
FET 功能:耗盡模式
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3090 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):47 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):-
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):16 歐姆 @ 500mA,0V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1700 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:Depletion
系列:管件
品牌:IXYS
以上是IXTA1N170DHV的詳細信息,包括IXTA1N170DHV廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!