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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):50W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):333 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):25 歐姆 @ 400mA,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):800mA(Tc)
漏源電壓(Vdss):1200 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Polar
系列:卷帶(TR)
品牌:IXYS
以上是IXTA08N120P-TRL的詳細(xì)信息,包括IXTA08N120P-TRL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!