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中文參數如下:
工廠包裝數量:100
輸出電壓:3.3 V
輸出電流:120 mA
工作電源電壓:13 V
激勵器數量:1
最小工作溫度:- 25 C
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
最大功率耗散:500 mW
電源電流:1 mA
電源電壓-最小:8.2 V
電源電壓-最大:17 V
類型:Non-Inverting
產品:MOSFET Gate Drivers
RoHS:是
制造商:IXYS
以上是IXI859S1的詳細信息,包括IXI859S1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!