色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<cite id="egeky"></cite>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXGX35N120CD1

IXGX35N120CD1

廠家：: IXYS
封裝：: PLUS247?-3
數(shù)量：: 8145
說明：: IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

一、本商品被瀏覽0次.

IXGX35N120CD1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3 變式
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：60 ns
測試條件：960V，35A，5 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：50ns/150ns
柵極電荷：170 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：3mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：350 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：4V @ 15V，35A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：140 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：70 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：HiPerFAST?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXGX35N120CD1的詳細(xì)信息，包括IXGX35N120CD1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

DF100R07W1H5FPB53BPSA2