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IXGQ90N33TCD1

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-3P
數量:
 1962  
說明:
 IGBT 晶體管 G-series A,B,C
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IXGQ90N33TCD1-TO-3P圖片

IXGQ90N33TCD1 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:30
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:200 W
柵極—射極漏泄電流:200 nA
在25 C的連續集電極電流:90 A
柵極/發射極最大電壓:20 V
集電極—射極飽和電壓:1.8 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:330 V
配置:Single
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXGQ90N33TCD1的詳細信息,包括IXGQ90N33TCD1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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