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IXFX32N80Q3

廠家：: Ixys
封裝：: TO-247-3 變式
數量：: 2456
說明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A

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IXFX32N80Q3 PDF參數資料

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中文參數如下：

上升時間：300 ns
功率耗散：1000 W
柵極電荷 Qg：140 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：PLUS 247
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：270 mOhms
漏極連續電流：32 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFX32N80Q3的詳細信息，包括IXFX32N80Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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