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IXFT66N20Q

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-268
數量:
 6984  
說明:
 MOSFET 66 Amps 200V
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IXFT66N20Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:50 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:18 ns
功率耗散:400 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:14 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-268
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.04 Ohms
漏極連續電流:66 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFT66N20Q的詳細信息,包括IXFT66N20Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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