色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IXFT26N60Q

IXFT26N60Q

廠家：: Ixys
封裝：: TO-268AA
數量：: 6732
說明：: MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds

一、本商品被瀏覽0次.

IXFT26N60Q PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：80 ns
工廠包裝數量：30
上升時間：32 ns
功率耗散：360 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：16 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-268
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.25 Ohms
漏極連續電流：26 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFT26N60Q的詳細信息，包括IXFT26N60Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：