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IXFR32N100Q3

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-247-3
數量:
 533  
說明:
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A
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IXFR32N100Q3-TO-247-3圖片

IXFR32N100Q3 PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:300 ns
功率耗散:570 W
柵極電荷 Qg:195 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:ISOPLUS 247
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):350 mOhms
漏極連續電流:23 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFR32N100Q3的詳細信息,包括IXFR32N100Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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