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IXFN82N60Q3

廠家:
  Ixys
封裝:
 SOT-227B
數量:
 8775  
說明:
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
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IXFN82N60Q3-SOT-227B圖片

IXFN82N60Q3 PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:300 ns
功率耗散:960 W
柵極電荷 Qg:275 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:SOT-227
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):75 mOhms
漏極連續電流:66 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFN82N60Q3的詳細信息,包括IXFN82N60Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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