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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):625W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):11000 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):186 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):85 毫歐 @ 32A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):50A(Tc)
漏源電壓(Vdss):500 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:PolarHV?
系列:管件
品牌:IXYS
以上是IXFN64N50PD3的詳細信息,包括IXFN64N50PD3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!