色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 1332
說明：: MOSFET 50 Amps 800V

一、本商品被瀏覽0次.

IXFN50N80Q2 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：60 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時間：25 ns
功率耗散：1135 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：13 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.15 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN50N80Q2的詳細信息，包括IXFN50N80Q2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：