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IXFH15N100Q3

廠家：: Ixys
封裝：: TO-247-3
數量：: 5436
說明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A

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IXFH15N100Q3 PDF參數資料

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中文參數如下：

上升時間：250 ns
功率耗散：690 W
柵極電荷 Qg：64 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.05 Ohms
漏極連續電流：15 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFH15N100Q3的詳細信息，包括IXFH15N100Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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