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IXBA16N170AHV-TRL

廠家:
  IXYS
封裝:
 TO-263HV
數(shù)量:
 7713  
說(shuō)明:
 DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-
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IXBA16N170AHV-TRL-TO-263HV圖片

IXBA16N170AHV-TRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):360 ns
測(cè)試條件:1360V,10A,10 歐姆,15V
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:15ns/160ns
柵極電荷:65 nC
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量:1.2mJ(關(guān))
功率 - 最大值:150 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):6V @ 15V,10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):40 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):16 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700 V
IGBT 類型:-
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:BIMOSFET?
系列:卷帶(TR)
品牌:IXYS

以上是IXBA16N170AHV-TRL的詳細(xì)信息,包括IXBA16N170AHV-TRL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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