色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 集成電路 - IC > 內(nèi)存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > IS43TR16640BL-125KBL

IS43TR16640BL-125KBL

廠家：: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
封裝：: 96-TWBGA（9x13）
數(shù)量：: 3672
說明：: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

一、本商品被瀏覽0次.

IS43TR16640BL-125KBL PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：96-TWBGA（9x13）
封裝/外殼：96-TFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：0°C ~ 95°C（TC）
電壓 - 供電：1.283V ~ 1.45V
訪問時間：20 ns
寫周期時間 - 字，頁：15ns
時鐘頻率：800 MHz
存儲器接口：并聯(lián)
存儲器組織：64M x 16
存儲容量：1Gb
技術(shù)：SDRAM - DDR3L
存儲器格式：DRAM
存儲器類型：易失
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：Automotive, AEC-Q100
系列：托盤
品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

以上是IS43TR16640BL-125KBL的詳細信息，包括IS43TR16640BL-125KBL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動態(tài)隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產(chǎn)品：

DS28E04S-224-BB+T

DS28E10R+U

SST26VF032BT-104V/SM70SVAO

SST26VF032B-104V/SM70SVAO