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IRLW630ATM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 4086
說明：: MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level

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IRLW630ATM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：30 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：6 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：4.5 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是IRLW630ATM的詳細信息，包括IRLW630ATM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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