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IRLR120TRR

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 D-Pak
數(shù)量:
 1179  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
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IRLR120TRR-D-Pak圖片

IRLR120TRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫歐 @ 4.6A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs12nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.7A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大2.5W
安裝類(lèi)型表面貼裝

以上是IRLR120TRR的詳細(xì)信息,包括IRLR120TRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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