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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 5.1A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.6A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1079pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝
以上是IRLMS6802TR的詳細(xì)信息,包括IRLMS6802TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!