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IRLD120

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-DIP（0.300"，7.62mm）
數(shù)量：: 8442
說明：: MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp

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IRLD120 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：64 ns
功率耗散：1300 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：64 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：HexDIP-4
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：270 mOhms at 5 V
漏極連續(xù)電流：1.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRLD120的詳細信息，包括IRLD120廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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