點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：30 ns
功率耗散：22 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220F
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是IRFS614B_FP001的詳細信息，包括IRFS614B_FP001廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

R6006ANDTL

IRF9640PBF-BE3

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2