色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRFR120ZPBF

IRFR120ZPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: D-Pak
數(shù)量：: 8991
說明：: MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRFR120ZPBF PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：27 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時間：26 ns
功率耗散：35 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.9 nC
下降時間：23 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：190 mOhms
漏極連續(xù)電流：8.7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRFR120ZPBF的詳細信息，包括IRFR120ZPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：