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IRFH5302DTR2PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: PQFN（5x6）單芯片焊盤
數(shù)量：: 6579
說明：: MOSFET MOSFT 30V FETky 100A 2.5mOhm 26nC Qg

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IRFH5302DTR2PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：400
上升時間：30 ns
功率耗散：3.6 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：26 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：110 S
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PQFN-8 (5x6 mm)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：29 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRFH5302DTR2PBF的詳細信息，包括IRFH5302DTR2PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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