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IRFH5110TR2PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-PowerVDFN
數量:
 6741  
說明:
 MOSFET MOSFT 100V Gen 10.7 11.68mOhm 56.2nC Qg
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IRFH5110TR2PBF-8-PowerVDFN圖片

IRFH5110TR2PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:400
上升時間:9.6 ns
功率耗散:3.6 W
柵極電荷 Qg:48 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :286 S
下降時間:6.4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PQFN
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):12.4 mOhms
漏極連續電流:11 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRFH5110TR2PBF的詳細信息,包括IRFH5110TR2PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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