色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF9Z14

IRF9Z14

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 999
說明：: MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp

一、本商品被瀏覽0次.

IRF9Z14 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：63 ns
功率耗散：43 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：31 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：6.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRF9Z14的詳細信息，包括IRF9Z14廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1