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中文參數如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫歐 @ 7.2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:12A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :860pF @ 25V
功率 - 最大:3.7W
安裝類型:通孔
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