色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF7338PBF

IRF7338PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SO
數量：: 6381
說明：: MOSFET 12V DUAL N- & P- CH HEXFET

一、本商品被瀏覽0次.

IRF7338PBF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：26 ns, 27 ns
上升時間：7.6 ns, 13 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5.7 nC
下降時間：34 ns, 25 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：34 mOhms
漏極連續電流：6.3 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7338PBF的詳細信息，包括IRF7338PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1