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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)二極管(隔離式)
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C62 毫歐 @ 2.9A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.3A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 780pF @ 15V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝
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