色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<center id="eeq2k"></center>

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRF6629TRPBF

IRF6629TRPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DIRECTFET? MX
數(shù)量：: 2520
說(shuō)明：: MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 34nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRF6629TRPBF PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：4800
功率耗散：100 W
柵極電荷 Qg：34 nC
包裝形式：Reel
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.7 mOhms
漏極連續(xù)電流：29 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6629TRPBF的詳細(xì)信息，包括IRF6629TRPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1