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IRF6612TR1

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 DIRECTFET? MX
數量：
 1584  
說明：
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
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IRF6612TR1-DIRECTFET? MX圖片

IRF6612TR1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數量：1000
功率耗散：89 W
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
封裝形式：DirectFET MX Isometric
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 m Ohms
漏極連續電流：24 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6612TR1的詳細信息，包括IRF6612TR1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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