色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IRF634NSTRRPBF

IRF634NSTRRPBF

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 3357
說明：: MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp

一、本商品被瀏覽0次.

IRF634NSTRRPBF PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：28 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：16 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.435 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRF634NSTRRPBF的詳細信息，包括IRF634NSTRRPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1