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IRF5803D2PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 279
說明：: MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS

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IRF5803D2PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：88 ns
工廠包裝數量：95
上升時間：550 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：25 nC
下降時間：50 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：190 mOhms
漏極連續電流：- 3.4 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 40 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF5803D2PBF的詳細信息，包括IRF5803D2PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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