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IRF3808STRRPBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 8451  
說明:
 MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
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IRF3808STRRPBF-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IRF3808STRRPBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:68 ns
工廠包裝數量:800
上升時間:140 ns
功率耗散:200 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:150 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :100 S
下降時間:120 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):7 mOhms
漏極連續電流:106 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF3808STRRPBF的詳細信息,包括IRF3808STRRPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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