IRF1902PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 6012
說明：: MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC

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IRF1902PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：23 ns
工廠包裝數(shù)量：95
上升時間：13 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5 nC
下降時間：19 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：85 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.2 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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