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IRC630PBF

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-5
數(shù)量:
 4644  
說明:
 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
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IRC630PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)電流感測
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫歐 @ 5.4A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 800pF @ 25V
功率 - 最大74W
安裝類型通孔

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