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IPU09N03LA G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-21
數量：: 8748
說明：: MOSFET N-CH 25V 50A

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IPU09N03LA G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：1500
上升時間：5.6 ns
功率耗散：63 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：46 S / 23 S
下降時間：3.4 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：15 m Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPU09N03LA G的詳細信息，包括IPU09N03LA G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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