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IPSH6N03LBG

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-251
數(shù)量：: 8505
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPSH6N03LBG PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
上升時間：6 ns
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.3 m Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPSH6N03LBG的詳細信息，包括IPSH6N03LBG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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