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IPP12CNE8N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO220-3
數(shù)量：: 6138
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR TRANS 85V 67A

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IPP12CNE8N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPP12CNE8NGXK
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：32 ns
上升時(shí)間：21 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0129 Ohms
漏極連續(xù)電流：67 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：85 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP12CNE8N G的詳細(xì)信息，包括IPP12CNE8N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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