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IPP100N04S303AKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO220-3-1
數(shù)量：: 126
說明：: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

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IPP100N04S303AKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：214W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9600 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：145 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 150μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.8 毫歐 @ 80A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：OptiMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPP100N04S303AKSA1的詳細信息，包括IPP100N04S303AKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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