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IPP050N06N G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO220-3
數(shù)量：
 5562  
說明：
 MOSFET N-CH 60V 100A
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IPP050N06N G-PG-TO220-3圖片

IPP050N06N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPP050N06NGXK
典型關(guān)閉延遲時間：59 ns
上升時間：31 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.005 Ohms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP050N06N G的詳細信息，包括IPP050N06N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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