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IPP041N12N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-220-3
數量：: 5490
說明：: MOSFET N-channel POWER MOS

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IPP041N12N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPP041N12N3GXK IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746
典型關閉延遲時間：70 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：52 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：158 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：165 S, 83 S
下降時間：21 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.8 mOhms
漏極連續電流：120 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：120 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPP041N12N3 G的詳細信息，包括IPP041N12N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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