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IPP027N08N5AKSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO220-3
數(shù)量:
 621  
說明:
 MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
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IPP027N08N5AKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):214W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8970 pF @ 40 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):123 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 154μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):2.7 毫歐 @ 100A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A(Tc)
漏源電壓(Vdss):80 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:OptiMOS?
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

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