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IPI80N06S3L-08

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數(shù)量：: 459
說明：: MOSFET N-CH 55V 80A

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IPI80N06S3L-08 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPI80N06S3L08XK
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：39 ns
上升時(shí)間：35 ns
功率耗散：105 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：25 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：7.9 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI80N06S3L-08的詳細(xì)信息，包括IPI80N06S3L-08廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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