色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPD800N06N G

IPD800N06N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數量：: 13736
說明：: MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 16A

一、本商品被瀏覽0次.

IPD800N06N G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPD800N06NGBTMA1 IPD800N06NGXT SP000443764
典型關閉延遲時間：22 ns
工廠包裝數量：1
上升時間：38 ns
功率耗散：47 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：27 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.08 Ohms
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD800N06N G的詳細信息，包括IPD800N06N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1