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IPD400N06N G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 3582  
說明:
 MOSFET N-CH 60V MOSFET
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IPD400N06N G-TO-252圖片

IPD400N06N G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:IPD400N06NGBTMA1 IPD400N06NGXT SP000443744
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:24 ns
上升時(shí)間:24 ns
功率耗散:68 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:23 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.04 Ohms
漏極連續(xù)電流:27 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD400N06N G的詳細(xì)信息,包括IPD400N06N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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